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A gate structure for fabricating hyeteresis free negative capacitance field effect transistors

刊登日期：2017/06/13

‧ 專利名稱
‧ 專利證書號	106158934B 9679893B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	美國 (2015/05/15) 中國 (2015/11/27)
‧ 發明人	顏智洋, 劉致為, 賴德全, 丁媛文,

技術摘要：

聯繫方式

聯絡人：研發處產學合作總中心	電話： (02)3366-9949

地　址： 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號禮賢樓六樓608室