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 Ferroelectoricity and antiferroelectoricity in oxide thin films |
刊登日期：2021/08/24 |
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| ‧ 專利名稱 |
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| ‧ 專利證書號 |
US11855171B2
US11101362B2
US12382705B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2018/12/26)
中國 (2019/04/18)
中華民國 (2019/04/23)
美國 (2021/08/12)
美國 (2023/11/13)
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| ‧ 發明人 |
陳敏璋, 易聖涵, 呂承軒, |
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| 技術摘要： |
A method includes forming source/drain regions in a semiconductor substrate; depositing a zirconium-containing oxide layer over a channel region in the semiconductor substrate and between the source/drain region; forming a titanium oxide layer in contact with the zirconium-containing oxide layer; forming a top electrode over the zirconium-containing oxide layer, wherein no annealing is performed after depositing the zirconium-containing oxide layer and prior to forming the top electrode.
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聯繫方式 |
| 聯絡人：
研發處產學合作總中心 |
電話：
(02)3366-9949 |
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| 地 址：
10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室 |
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