Ferroelectric inductance 刊登日期:2021/09/07
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 US11114564B2
US11728426B2
US12349419B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2019/07/16)
中華民國 (2019/08/20)
中國 (2019/08/21)
美國 (2021/07/25)
美國 (2023/06/28)
美國 (2024/07/30)
  ‧ 發明人 陳敏璋, 鄭柏賢, 殷瑀彤,
 
技術摘要:
Techniques in accordance with embodiments described herein are directed to a MFM structure that includes a resistance component, an inductance component and a capacitance component. The MFM device is equivalent to a series LC circuit with the resistance component coupled in parallel with the capacitance component. The MFM structure is used as a series LC resonant circuit, band-pass circuit, band-stop circuit, low-pass filter, high-pass filter, oscillators, or negative capacitors.



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