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製造多顆被覆碳層的一氧化矽顆粒之方法

刊登日期：2021/08/11

‧ 專利名稱	製造多顆被覆碳層的一氧化矽顆粒之方法
‧ 專利證書號	I736268
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2020/05/18)
‧ 發明人	藍崇文,

技術摘要：

一種製造多顆被覆碳層的一氧化矽顆粒之方法。本發明之方法首先係將非極性醇類、極性含碳元素溶劑以及界面活性劑混合成乳濁液。接著，本發明之方法係該乳濁液執行均質化製程，致使非極性醇類於該乳濁液中形成多個微液滴。接著，本發明之方法係於均質化製程執行過程中，將矽鹵化物滴入乳濁液中，致使矽鹵化物與多個微液滴反應成多個矽酸酯微粒。接著，本發明之方法係清洗乳濁液，以取得多個矽酸酯微粒。最後，本發明之方法係對多個矽酸酯微粒執行乾燥製程，進而將多個矽酸酯微粒轉變成多顆被覆碳層的一氧化矽顆粒。

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