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direct patterned nano-stressor using He beam lithography

刊登日期：2019/12/24

技術摘要：

一種半導體元件，包括自基板突出的半導體鰭片、半導體鰭片上方的閘極電極、半導體鰭片與閘極電極之間的閘極絕緣層、半導體鰭片之相對側上設置的源極區域與汲極區域、源極區域與汲極區域之間的區域中所形成之第一應力源。第一應力源包括一種選自由He、Ne及Ga組成之群組的材料。

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