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電子工程學研究所 - 林浩雄
	專業技術：化合物半導體材料與元件, 分子束磊晶技術

研究介紹

◎研究領域摘要

主要的研究領域為三五族化合物半導體分子束磊晶技術與相關的光電元件技術。研究過的材料包括AlGaAs / GaAs、InGaAs / GaAs、InGaAsP / InP、含氮與含銻化合物半導體合金塊材、量子井與量子點結構。元件則包括異質接面雙極性電晶體與雷射二極體等。目前進行的研究包括：
(1) 低含氮化合物半導體(Diluted nitrides)：
在傳統半導體材料摻氮的低含氮半導體，因為氮的加入造成晶格與能隙的同時縮減。這個特點可以拓展化合物半導體的領域，但是摻氮也帶來了許多材料上值得研究的課題。我們過去曾從事InAsN含氮材料的研究，成長InAsN/InGaAs量子井並達到2.4 mm的雷射震盪。目前主要成長與GaAs晶格匹配但能隙低於1-eV的低含氮GaAsSbN。應用為高效率solar cell與HBT。
(2) 中紅外線(Mid-infrared, MIR)化合物半導體：
MIR是許多化學氣體、液體、生物分子的吸收特徵波段。我們與英國Lancaster Univeristy合作以GSMBE（氣態源分子束磊晶法）成長適用於3-5 mm的InAsPSb四元材料以及InAsPSb/InAsSb量子井結構，並應用此結構來製作光電元件。
(3) 奈米結構的異質磊晶技術：
在矽與氧化物所構成的奈米結構中，使用分子束磊晶技術填入三五族材料。研究三五族與矽的異質磊晶，以及選擇性磊晶的技術。可以應用到未來的積體電路。

◎ 專利

林浩雄、馬大鈞、林佑儒、王俊評、黃正宏, “環境光偵測器,” 中華民國，發明第 I 335075號, Dec. 2010
H. H. Lin, T. C. Ma, Y. R. Lin, J. P. Wang, and C. H. Huang, “Ambient light sensor utilizing combination of filter layer and absorption layer to achieve similar sensitivity to the light as the human eye,” U. S. Patent No. 7,538,406, May 2009
林浩雄、馬大鈞、吳俊逸, “類人眼之光偵測器,” 中華民國，發明第 I 287877, Oct. 2007
邱煥凱、林浩雄, “集總常數補償式高低通平衡至不平衡轉換器,” 中華民國發明專利，No. 139060, Jul. 2001
洪儒菘、林浩雄, “背靠背式雙波長半導體雷射元件,” 中華民國發明專利，No. 135640, Jun. 2001
H. K. Chiou and H. H. Lin, “Lumped constant compensated high/low pass balanced-to-unbalanced transition,” U. S. Patent No. 6052039, Apr. 2000

專利授權區

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