以溶液製程製作氧化鎳與氧化銅薄膜及其在有機光電的應用
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2011/03/25)
美國 (2011/06/14)
 
  ‧ 發明人/PI 林清富,黃敬舜,邱建林,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明實施例揭露一種光電元件及製法,利用溶液法製作光電元件的p型過渡金屬氧化物層、主動層、n型過渡金屬氧化物層,其中p型過渡金屬氧化物層包含一氧化鎳或一氧化銅層,或者一混合層,其包含氧化鎳或氧化銅混合一n型過渡金屬氧化物。

Embodiments of this invention disclose optoelectronic devices and their producing methods. The embodiments employ solution processes to produce p-type transition metal oxide layer, active layer, and n-type transition metal oxide layer of the optoelectronic devices. The p-type transition metal oxide layer comprises a copper oxide (CuO) layer or a nickel oxide (NiO) layer or a mixing layer, which comprises CuO or NiO mixed with an n-type transition metal oxide.



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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