具有台面終端的碳化矽蕭基二極體之製造方法
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號
  ‧ 專利權人 臺大
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2012/01/04)
美國 (2012/04/27)
 
  ‧ 發明人/PI 王惠萱 ,黃浩宸 ,劉致為 ,
  ‧ 單位 電子工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明揭露一種具有台面終端的碳化矽蕭基二極體元件及製造方法。碳化矽蕭基二極體元件包含在n型碳化矽基板上形成具有台面終端延伸結構的n型碳化矽磊晶層,二p型區域於n型碳化矽磊晶層內以及一蕭基金屬接點位於n型碳化矽磊晶層與二p型區域上,一介電層則位於該台面終端延伸結構之側壁與平面上。

A silicon carbide Schottky diode device with mesa terminations and the manufacturing method thereof are provided. The silicon carbide Schottky diode device includes an n-type epitaxial silicon carbide layer with mesa terminations on an n-type silicon carbide substrate, two p-type regions in the n-type epitaxial silicon carbide layer and a Schottky metal contact on the n-type epitaxial silicon carbide layer and the p-type regions, a dielectric layer on sidewalls and planes of the mesa terminations.



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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