利用介電質奈米顆粒填入V型缺陷來降低光電與電子元件之漏電流
  ‧ 專利名稱 半導體元件及其製造方法
  ‧ 專利證書號 I436424
  ‧ 專利權人 臺大
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2012/04/03)
美國 (2012/05/27)
 
  ‧ 發明人/PI 楊志忠,陳鴻祥,丁紹瀅,廖哲浩,陳志諺,謝劼,陳浩宗,姚毓峰,葉東明,
  ‧ 單位 光電工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種半導體元件及其製造方法,其中半導體元件的製造方法包括以下步驟。於一基板上形成一半導體層,其中半導體層具有一頂面以及一相對頂面之底面。底面與基板接觸,而頂面有多個孔洞,且孔洞由頂面往底面延伸。製備一溶液,其中溶液包括多個奈米顆粒。使奈米顆粒填充於孔洞中。在填充奈米顆粒於孔洞中之後,於半導體層上形成一導電層。

A semiconductor device and fabrication method thereof are provided, wherein the fabrication method of the semiconductor device includes the following steps. Forming a semiconductor layer on a substrate, wherein the semiconductor layer has a top surface and a bottom surface that is opposite to the top surface. The bottom surface is in contact with the substrate, and the top surface has a plurality of pits, the pits are extended from the top surface toward the bottom surface. Preparing a solution, wherein the solution includes a plurality of nanoparticles. Filling the nanoparticles into the pits. Forming a conducting layer on the semiconductor layer after filling the nanoparticles into the pits.




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