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奈米碳管叢應變感測器及其製造方法
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刊登日期:2019/01/01 |
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‧ 專利名稱 |
一種奈米碳管叢應變感測器及其形成方法 |
‧ 專利證書號 |
I646043
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2017/07/24) 美國 (2017/07/24)
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‧ 發明人/PI |
張所鋐,蘇志中,葉冠禹
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‧ 單位 |
機械工程學系
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
本發明係為一高靈敏度的撓性應變感測器及其製造方法,利用奈米碳管叢直接成長於撓性基材上,製作高靈敏度之應變感測器,可在微小應變下即有高電阻變化率之產生,意即為高靈敏度之撓性應變感測器。
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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