製造一氧化矽沉積物之方法及執行該方法之製造設備
  ‧ 專利名稱 製造一氧化矽沉積物之方法及執行該方法之製造設備
  ‧ 專利證書號 I658002
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2018/08/15)
  ‧ 發明人 藍崇文,
 
技術摘要:




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