A structure of stacked MOSFETs with vertical insulation
刊登日期:2020/08/18
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 10748935B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2018/10/04)
中華民國 (2019/01/03)
中國 (2019/01/08)
美國 (2020/08/14)
 
  ‧ 發明人/PI 黃郁翔,葉泓佑,黃文宏,劉致為,
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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