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 利用機械應變矽增加積體電路或元件速度的方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
利用機械應變矽增加積體電路速度的方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I237397
557484
7307004
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| ‧ 專利權人 |
一般型 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2002/09/11)
中華民國 (2004/06/30)
美國 (2004/11/05)
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| ‧ 發明人/PI |
余承曄 ,詹孫戎,張書通 ,劉致為,
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| ‧ 單位 |
電子工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本案係提供一種利用將基板應力應變以增加積體電路或元件速度的方法，包含以下步驟：(a)提供一基板；(b)固定該基板的邊界；(c)於該基板上施予一應力；以及(d)該基板受該應力而產生應變。
The strained Si surrounding the SiGe embedded body on the SOI (silicon on insulator) substrate to form novel FinFET. The mobility in the channel is enhanced due to the strain of Si channel. The strained Si FinFET is composed of a SOI substrate, an embedded SiGe body, a strained Si channel surrounding layer, a oxide layer, a ploy Si gate electrode (or metal gate electrode), source and drain.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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