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 利用快速熱退火處理之高密度磁紀錄薄膜及其製造方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
利用快速熱退火處理之高密度磁紀錄薄膜級其製造方法 |
| ‧ 公開號 |
CN101747084A
201021032
US2010/0124673A1
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2008/11/18)
中國 (2008/12/02)
美國 (2009/03/20)
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| ‧ 發明人/PI |
陳勝吉,郭博成,沈智隆,陳松柏,張慶瑞,
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| ‧ 單位 |
物理學系
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明係提供一種利用快速熱退火處理之高密度磁記錄薄膜,其包含一基板;及一鐵磁性層,形成於該基板上,其中該鐵磁性層係於升溫速率介於60~100℃/秒、溫度介於600~800℃、及持溫時間介於5~600秒下進行該快速熱退火處理,以獲得該高密度磁記錄薄膜。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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