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利用快速熱退火處理之高密度磁紀錄薄膜及其製造方法
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刊登日期:2014/05/21 |
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‧ 專利名稱 |
利用快速熱退火處理之高密度磁紀錄薄膜級其製造方法 |
‧ 公開號 |
CN101747084A 201021032 US2010/0124673A1
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2008/11/18) 中國 (2008/12/02) 美國 (2009/03/20)
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‧ 發明人/PI |
陳勝吉,郭博成,沈智隆,陳松柏,張慶瑞,
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‧ 單位 |
物理學系
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
本發明係提供一種利用快速熱退火處理之高密度磁記錄薄膜,其包含一基板;及一鐵磁性層,形成於該基板上,其中該鐵磁性層係於升溫速率介於60~100℃/秒、溫度介於600~800℃、及持溫時間介於5~600秒下進行該快速熱退火處理,以獲得該高密度磁記錄薄膜。
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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