光偵測器
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2007/03/05)
美國 (2007/07/27)
 
  ‧ 發明人/PI 劉致為 ,林楚軒 ,余承曄 ,
  ‧ 單位 電子工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
一種光偵測器,包含一承載基板、一鍺層、一第一金屬電極、一絕緣層以及一第二金屬電極。該鍺層位於該承載基板上方,並且該鍺層包括一第一區域及一第二區域。該第一金屬電極位於該第一區域上,該絕緣層設置於該第二區域上,該第二金屬電極形成於該絕緣層上,該絕緣層是以低溫液相沉積技術形成。
A photodetector is provided. The photodetector includes a base piece; a germanium layer mounted on the base piece and including a first area and a second area; a first metal electrode mounted on the first area; an insulation layer mounted on the second area; and a second metal electrode mounted on the insulation layer.




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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