針對矽晶圓之經製絨的表面上孔洞之擴孔方法 刊登日期:2019/09/01
  ‧ 專利名稱 針對矽晶圓之經製絨的表面上孔洞之擴孔方法
  ‧ 專利證書號 I675126
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2018/02/14)
  ‧ 發明人 藍崇文,
 
技術摘要:
根據本發明之擴孔方法,首先將矽晶圓浸於蝕刻溶液內維持蝕刻時間以進行擴孔處理,蝕刻溶液的成份包含HNO3、HF以及H3PO4,接著將矽晶圓進行第一清洗處理,再將矽晶圓浸於鹼性溶液內,以進行修飾處理,之後將矽晶圓進行第二清洗處理,再陸續進行酸洗處理及第三清洗處理,最後乾燥矽晶圓。



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