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製造一氧化矽沉積物之方法及執行該方法之製造設備 刊登日期：2019/05/01
  ‧ 專利名稱 製造一氧化矽沉積物之方法及執行該方法之製造設備
  ‧ 專利證書號 I658002
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 中華民國 (2018/08/15)
  ‧ 發明人 藍崇文,
 
技術摘要：
本發明之方法係採用多顆二氧化矽殼/矽核複合粉體而非採用矽粉體與二氧化矽粉體，來反應成一氧化矽並昇華為一氧化矽蒸氣，再收集一氧化矽蒸氣將其冷卻成一氧化矽沉積物。



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聯絡人： 研發處產學合作總中心 電話： (02)3366-9949
地　址： 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室
 
 
國立臺灣大學 研發處產學合作總中心　10617臺北市大安區羅斯福路四段1號　禮賢樓六樓608室　TEL:(02)3366-9988
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