一種奈米金團簇觸媒侵入基材的方法:用以製作高光補捉與場發射特性的奈米結構
  ‧ 專利名稱 半導體奈米結構及其製作方法
  ‧ 專利證書號 I464783
  ‧ 專利權人 臺大
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2011/11/21)
  ‧ 發明人 陳學禮, 曾紹欽, 游振傑, 劉浩偉,
 
技術摘要:
一種半導體奈米結構的製作方法,其步驟包括:提供具有原生氧化層之基板;形成金屬薄膜在具有原生氧化層之基板上,使得金屬薄膜內之部份金屬原子穿過原生氧化層沉積於基板內且位於基板之表面下方以形成觸媒層;剝除在基板上之金屬薄膜,以形成具有觸媒層之半導體奈米結構。



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