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tunable gap ultra-thin-body transistor based on a topological insulator

刊登日期：2018/10/01

技術摘要：

本發明實施例提供基於一拓樸絕緣體的一種電晶體。在本發明實施例中，使用一拓樸絕緣體形成通道和源/汲極區兩者，其中上述通道具有一第一厚度，使上述拓樸絕緣體具有一半導體材料的性質。並且上述源/汲極區具有一第二厚度，使上述拓樸絕緣體具有一導電材料的性質。

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