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 利用應變技術改變薄膜電晶體遷移率之方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
利用應變技術改變薄膜電晶體遷移率之方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I319211
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2006/12/12)
美國 (2007/12/06)
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| ‧ 發明人/PI |
黃靖方 ,劉志祥 ,劉致為 ,
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| ‧ 單位 |
電子工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本案係提供一種將薄膜電晶體施加應變力以增加其元件導通電流及遷移率之方法。將薄膜電晶體基板固定於一施加應力之壓力源上，並施加應變力時會造成電晶體遷移率的改變。施力方向與薄膜電晶體之通道方向會對遷移率造成影響。N型與P型之薄膜電晶體會依其施加應變力之方向產生不同的電流變化率。
A method for changing a characteristic of a thin film transistor (TFT) is provided. The method comprises the steps of (1) providing a substrate; (2) forming the TFT having a channel on the substrate; (3) providing a pressure source; and (4) causing the pressure source to form a strain on the channel. The method for changing the characteristic of the TFT can further raise the operational speed thereof.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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