具反光包覆層之發光二極體結構及其製造方法
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 具反光包覆層之發光二極體結構及其製造方法
  ‧ 專利證書號 I292630
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2004/10/22)
 
  ‧ 發明人/PI 吳恩柏,劉信翔,張家壽,
  ‧ 單位 應用力學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明係利用壓印(imprinting)技術,將一反光層包覆於發光二極體之外表面。其步驟係將可塑層沾附或塗佈於模仁之上,以形成壓印底材,將所欲黏著之反光結構沾附或塗佈於該可塑層上,並修整出對應發光二極體外表面之形狀,軟化可塑層之材料,再將已覆蓋反光層之模仁壓印於發光二極體結構上,使反光層貼合於發光二極體表面。由於該反光層具有高反光性,可使自發光二極體上面與側面溢出之光線反射回至光取出方向,提高發光二極體光取出效率。
A light emitting diode (LED) covered with a reflective layer by imprinting process is provided. The imprinting process includes coating a plastic layer above a mold, coating a reflective layer above the plastic layer, softening the plastic layer and pressing the mold with the plastic and reflective layers upon the LED structure and removing the mold. Thereafter, the reflective layer adheres to the surface of LED. Hence the LED covered with a reflective layer reflects the emitting light to a controllable direction, and the light extraction efficiency is enhanced thereby.



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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