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以銦鎵鍺系氮氧化物為基礎之新型相變化材料
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刊登日期:2014/05/21 |
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‧ 專利名稱 |
相變化材料、記憶單元及利用電學儲存/讀取資料之方法 |
‧ 專利證書號 |
I375324 7884345B2
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2008/01/18) 美國 (2008/07/30)
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‧ 發明人/PI |
彭隆瀚 ,王菘豊 ,謝孟桂 ,陳建宇 ,
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‧ 單位 |
光電工程學研究所
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
一種相變化材料與記憶單元,該材料僅具有單一結晶態且主要成分係選自銦、鎵及/或鍺之氧化物或氮氧化物。該材料可用於製作記憶單元,包含基板;形成於該基板表面之第一接觸電極;配置於該基板表面之介電層,該介電層具有一開孔供相變化材料層形成於該開孔中;以及配置於該介電層表面之第二接觸電極。由於該相變化材料僅具有單一結晶態,且高、低阻態區別度大,所形成之記憶單元,可以在低臨界功率之條件下,利用脈衝電壓快速地達成相變化特性,且不易發生重置不完全的情況,同時具有可與矽半導體製程技術整合之優點。
A phase-change material and a memory unit using the phase-change material are provided. The phase-change material is in a single crystalline state and includes a compound of a metal oxide or nitroxide, wherein the metal is at least one selected from a group consisting of indium, gallium and germanium. The memory unit includes a substrate; at least a first contact electrode formed on the substrate; a dielectric layer disposed on the substrate and formed with an opening for a layer of the phase-change material to be formed therein; and at least a second contact electrode disposed on the dielectric layer. As the phase-change material is in a single crystalline state and of a great discrepancy between high and low resistance states, the memory unit using the phase-changed material can achieve a phase-change characteristic rapidly by pulse voltage and avert any incomplete reset while with a low critical power.
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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