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Resistive random-access memory based on layered metal halide
 刊登日期：2024/01/21
  ‧ 專利名稱 記憶體裝置及其形成方法
  ‧ 專利證書號 I830209
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 中華民國 (2022/04/21)
 
  ‧ 發明人/PI 吳志毅
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：



專利簡述 / Intellectual Properties：



 

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