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 Method of laser annealing in a Gas mixture containing dopants
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刊登日期：2019/05/28 |
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| ‧ 專利名稱 |
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| ‧ 專利證書號 |
10867809B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2018/06/01)
中華民國 (2018/10/18)
中國 (2018/11/20)
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| ‧ 發明人/PI |
劉致為,魯涒地,李孟津,呂芳諒,
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
形成半導體裝置之方法包括在半導體基板上形成摻雜區域，其中摻雜區域包含雜質，及利用包含摻雜劑氣體之處理氣體對摻雜區域執行雷射退火製程，其中摻雜劑氣體與雜質包含同一化學元素。
A method of forming a semiconductor device includes forming a doped region on a semiconductor substrate, in which the doped region comprises an impurity therein, and performing a laser anneal process to the doped region with a process gas containing a dopant gas, in which the dopant gas and the impurity comprise the same chemical element.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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