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單電橋磁場感測器
刊登日期:2017/03/01
‧ 專利名稱
單電橋磁場感測器
‧ 專利證書號
I578008
9,709,640
‧ 專利權人
國立臺灣大學
‧ 專利國家
(申請日)
中國 (2015/08/31)
中華民國 (2015/08/31)
美國 (2015/08/31)
‧ 發明人
鄭振宗,
張慶瑞
, 許仁華, 呂志誠,
技術摘要:
本發明創作係關於一種單電橋磁場感測器,主要係透過一電橋單元內所包含之第一至第四磁阻元件,再配合切換電路根據所欲量測磁場方向進行電路切換,而改變各磁阻元件、各輸入電壓源、各接地端、及各電壓輸出端之間的電性連接關係,藉此根據各磁阻元件之磁阻值、及各電壓輸出端之輸出電壓值,來得到各軸向之磁場量測值。由於本發明創作僅利用單一電橋單元,便可達到量測各軸向磁場之目的,相較於習用磁場感測器需利用至少三個電橋單元,本發明創作之單電橋磁場感測器可大幅降低整體體積。
聯繫方式
聯絡人: 研發處產學合作總中心
電話: (02)3366-9949
地 址: 10617臺北市大安區羅斯福路四段1號 禮賢樓六樓608室