|
 嵌入式蕭基超接面元件結構與製造方式
|
刊登日期：2022/11/16 |
 |
|
|
|
|
| ‧ 專利名稱 |
嵌入式蕭特基非對稱型超接面功率半導體 |
| ‧ 專利證書號 |
I817120
|
| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2021/05/14)
|
|
|
| |
| ‧ 發明人/PI |
李坤彥,賴云凱,鄒振東,李羿軒,吳瑞祺,
|
| ‧ 單位 |
工程科學及海洋工程學系
|
| ‧ 簡歷/Experience |
|
|
| 技術摘要 / Our Technology： |
一種嵌入式蕭特基非對稱型超接面功率半導體，包含半導體基板，及多個相鄰地設置在半導體基板上的電晶體單元。每一個該電晶體單元包括本體、閘極、源極、摻雜區，及金屬單元。本體包括第一柱狀部、二分別位在第一柱狀部兩側的第二柱狀部，及一頂面。閘極設置在頂面。源極位在本體內且鄰近閘極一側，並包括由第一柱狀部往相鄰的第二柱狀部延伸的井區。摻雜區位在第一柱狀部內，且與源極間隔地位在閘極另一側，而讓第一柱狀部的部分表面露出，其中，摻雜區結構不同於源極，且其半導體特性不同於第一柱狀部。金屬單元覆蓋閘極與源極，並與第一柱狀部露出的部分表面直接接觸，從而形成蕭特基接觸。
|
| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
|
| |
聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
|
| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
|
|
| |
|
| |
 |
專利行銷平台