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導電性星狀高分子與導電性嵌段式星狀高分子及其形成方法

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	導電性星狀高分子與導電性嵌段式星狀高分子及其形成方法
‧ 專利證書號	I313690
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2005/11/30)

‧ 發明人/PI	謝國煌,王立義,王邑文,朱智謙,葉志富,
‧ 單位	高分子科學與工程學研究所
‧ 簡歷/Experience

技術摘要 / Our Technology：

本發明揭示了一種導電性星狀高分子,其包含一具有至少三個臂鏈之星狀結構與一導電結構。上述之臂鏈係為一磺化高分子。其次,上述之導電結構受到星狀結構之臂鏈上的磺酸基吸引,以便於導電結構纏繞於臂鏈上。此外,本發明揭示了一種導電性嵌段式星狀高分子,其包含一具有至少三個臂鏈之星狀結構與一導電結構。上述之臂鏈係為一嵌段式共聚物,其中,嵌段式共聚物包含一第一鏈段與一第二鏈段,第二鏈段係為一磺化高分子,且第二鏈段係位於臂鏈之外側。其次,上述之導電結構受到星狀結構之臂鏈上的第二鏈段吸引,以便於導電結構纏繞於第二鏈段上。另一方面,本發明亦揭示導電性星狀高分子與導電性嵌段式星狀高分子的形成方法。

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