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 二維皺曲量子井的製造方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
二維皺曲量子井的製造方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I247348
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2004/06/30)
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| ‧ 發明人/PI |
劉致為,余承曄 ,陳博文 ,
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| ‧ 單位 |
電子工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明提供了一種二維皺曲量子井的製造方法，該方法包含下列步驟：提供一第一基板；於該第一基板上成長一半導體層，該半導體層的材質與第一基板的材質相異；於該半導體層上成長一第一覆蓋層，遂形成一第一晶圓結構；對該第一晶圓結構進行離子佈植，形成一離子植入層；提供一第二基板；在該第二基板上成長一第二覆蓋層，遂形成一第二晶圓結構；將第一與第二覆蓋層面對面對準，使第一與第二晶圓結構鍵結；進行第一次高溫處理，使第一與第二晶圓結構於該離子植入層產生分離；以及進行第二次高溫處理，以在分離的表面上產生二維皺曲量子井層。
The present invention provides a process for 2-D buckled SiGe quantum wells, which includes the following steps: providing a first substrate; growing a semiconductor layer on the first substrate, and the material of the semiconductor layer is different from that of the first substrate; growing a first capping layer on the semiconductor layer to form a first wafer structure; conducting ion implantation on the first wafer structure to form an ion implantation layer; providing a second substrate; growing a second capping layer on the second substrate to form a second wafer structure; aligning the first and the second capping layers as face-to-face and bonding the first and the second wafer structures; conducting the first high temperature process to separate the first and the second wafer structures at the ion implantation layer; and, conducting the second high temperature process to generate the 2-D buckled SiGe quantum wells on the separated surface.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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