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雲母基板上成長自我分離氮化鎵厚膜之製程與方法
 刊登日期：2024/07/01
  ‧ 專利名稱 半導體膜層的製備方法
  ‧ 專利證書號 I867392B
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 中華民國 (2022/12/21)
美國 (2023/02/14)
 
  ‧ 發明人/PI 周苡嘉,黃張勳,
  ‧ 單位 材料科學與工程學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：



專利簡述 / Intellectual Properties：



 

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Email：ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel：02-3366-9945
 
 
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