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 Molybdenum disulfide transistors with all 2D material interfaces:device performance optimization, influences of interfaces and passivation layers
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刊登日期：2024/10/01 |
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| ‧ 專利名稱 |
Molybdenum disulfide transistors with all 2D material interfaces:device performance optimization, influences of interfaces and passivation layers |
| ‧ 專利證書號 |
I857824
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2023/08/31)
中華民國 (2023/10/26)
中國 (2024/08/01)
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| ‧ 發明人/PI |
林時彥
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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