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 利用特殊佈局方向之互補型金氧半場效電晶體製造方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
利用特殊佈局方向之互補型金氧半場效電晶體製造方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I228293
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2003/12/02)
美國 (2004/11/05)
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| ‧ 發明人/PI |
袁鋒 ,黃靖方 ,劉致為 ,
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| ‧ 單位 |
電子工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一種受應變力之互補型金氧半場效電晶體的佈局擺放方法。該電晶體中之N型金氧半場效電晶體與P型金氧半場效電晶體之通道中電流流動方向且呈垂直。如此可用同一方向的機械應變力施加於兩者之通道，同時增進N型及P型電晶體之驅動電流及操作速度。本案若有化學式，請揭示最能顯示發明特徵的化學式
A method of layout to form the complementary metal oxide semiconductor field effect transistors (CMOS) under strained Si. The current direction of N-type MOS device is perpendicular to P-type MOS device. The same stress is applied on both type of MOS devices, and can enhance the drain current and operation speed of both devices in CMOS.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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