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 Single Crystal Perovskite Achieved by atomic Layer Deposition with Post-deposition Annealing
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刊登日期：2018/03/16 |
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| ‧ 專利名稱 |
製造具有鈣鈦礦單晶結構的材料的方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I714772
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中國 (2017/06/01)
中華民國 (2017/06/01)
美國 (2017/09/15)
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| ‧ 發明人/PI |
洪銘輝
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一種形成具有鈣鈦礦單晶結構的材料的方法，包括：交替地生長一第一層和一第二層在一基板上，其中，上述第一層與上述第二層的組成不同，且上述第一層及上述第二層為複數個；以及將上述第一層和上述第二層退火，形成一具有鈣鈦礦單晶結構的材料。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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