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A structure of multi-layer source/drain stressor for stacked channel transistors
 刊登日期：2022/01/25
  ‧ 專利名稱
  ‧ 專利證書號 11233120
11776998B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 美國 (2020/04/16)
美國 (2022/01/24)
美國 (2023/07/31)
 
  ‧ 發明人/PI 蔡仲恩,鍾嘉哲,劉致為
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：



專利簡述 / Intellectual Properties：



 

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臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email：ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel：02-3366-9945
 
 
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