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 ALD assisted non-resist charged particle beam patterning
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刊登日期：2016/07/11 |
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| ‧ 專利名稱 |
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| ‧ 專利證書號 |
I541860B
9934969B2
10615036B2
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2014/06/13)
中華民國 (2014/12/24)
美國 (2018/03/28)
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| ‧ 發明人/PI |
陳敏璋,蔡坤諭,
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
提供一種製備一積體電路的製程。此製程包含提供一基板，並使用原子層沉積或分子層沉積以形成一硬罩幕於基板上。接著暴露硬罩幕於一或多個帶電粒子束的一帶電粒子中，以圖案化一間隙於硬罩幕中。另一方面，此製程包含暴露硬罩幕於一或多個帶電粒子束的一帶電粒子中，以圖案化一結構於硬罩幕上。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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