使用原子層沉積技術成長氧化鋅/氧化鋅鎂磊晶薄膜與量子井及其光學性質之研究
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 氧化鋅基半導體發光元件及其製造方法
  ‧ 專利證書號 I379438
7,972,876
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2008/02/05)
美國 (2008/02/28)
 
  ‧ 發明人/PI 陳敏璋,陳星兆,
  ‧ 單位 材料科學與工程學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明揭露一種氧化鋅基半導體發光元件及其製造方法。根據本發明之製造方法,首先,係製備一基材。接著,藉由一基於原子層沈積之製程,於該基材上或之上形成一氧化鋅基多層結構,其中該氧化鋅基多層結構包含一發光區域。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

聯繫方式 / Contact:
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email:ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel:02-3366-9945