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使用原子層沉積技術成長氧化鋅/氧化鋅鎂磊晶薄膜與量子井及其光學性質之研究
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刊登日期:2014/05/21 |
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‧ 專利名稱 |
氧化鋅基半導體發光元件及其製造方法 |
‧ 專利證書號 |
I379438 7,972,876
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2008/02/05) 美國 (2008/02/28)
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‧ 發明人/PI |
陳敏璋,陳星兆,
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‧ 單位 |
材料科學與工程學系
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
本發明揭露一種氧化鋅基半導體發光元件及其製造方法。根據本發明之製造方法,首先,係製備一基材。接著,藉由一基於原子層沈積之製程,於該基材上或之上形成一氧化鋅基多層結構,其中該氧化鋅基多層結構包含一發光區域。
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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