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 Post Deposition N2 Annealing for Attaining Extremely Low High-κ/(In)GaAs Interfacial Trap Densties
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刊登日期：2018/03/16 |
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| ‧ 專利名稱 |
Post Deposition N2 Annealing for Attaining Extremely Low High-κ/(In)GaAs Interfacial Trap Densties |
| ‧ 專利證書號 |
CN107447254B
I714772
10,755,924
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2017/09/15)
中國 (2017/11/29)
中華民國 (2017/11/29)
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| ‧ 發明人/PI |
洪銘輝
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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