從化學氣相沉積在堆疊基底上合成過度金屬硫化物薄膜的方法
  ‧ 專利名稱 生成過渡金屬硫化物的方法
  ‧ 專利證書號 I736389
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2020/08/06)
 
  ‧ 發明人/PI 謝馬利歐,謝雅萍,邱聖貴,劉重佑,
  ‧ 單位 物理學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

聯繫方式 / Contact:
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email:ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel:02-3366-9945