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 Superconducting electron spin resonance (ESR) line for controlling qubit
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刊登日期：2023/05/16 |
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| ‧ 專利名稱 |
半導體裝置及其製造方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I825815
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
美國 (2022/04/07)
中華民國 (2022/06/29)
中國 (2022/07/11)
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| ‧ 發明人/PI |
葉昱辰,梁啟德,管希聖,李峻霣,
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| ‧ 單位 |
台積電-臺灣大學聯合研發中心
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一種半導體裝置包含源極區域、汲極區域、通道區域、一對空乏閘極、累積閘極及超導共振器。通道區域係在源極區域及汲極區域之間。此對空乏閘極係彼此分隔開。此對空乏閘極二者皆與通道區域重疊，並定義量子點量子位元區域在通道區域內且在此對空乏閘極之間。累積閘極係在此對空乏閘極之上，並跨越此對空乏閘極。超導共振器係橫向相鄰於量子點量子位元區域。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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