僅寫一次型氧化鋅式近場光碟片
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 僅寫一次型氧化鋅式近場光碟片
  ‧ 專利證書號 204868
2,415,710
US 6,938,266 B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2002/05/27)
日本 (2002/12/26)
加拿大 (2003/01/06)
美國 (2003/01/08)
 
  ‧ 發明人/PI 蔡定平,林宇軒,張威智,張勛豪,
  ‧ 單位 物理學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本創作係為一種僅寫一次型氧化鋅式近場光碟片,其結構係由一透光基板以及披覆於透光基板上之複數薄膜層所組成,此複數薄膜層包含一層可產生侷域近場光學作用之氧化鋅奈米薄膜層,一層僅寫一次之記錄薄膜層,以及保護和維持整體薄膜結構特性之第一、第二、第三透光介電質薄膜層;藉此構成,使可產生侷域近場光學作用之氧化鋅奈米薄膜層,維持在僅寫一次之記錄薄膜層的近場光學作用範圍內,來執行超高密度近場光學記錄之功能。




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