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 於碳化矽基板上形成絕緣層之方法、碳化矽電晶體及其製造方法
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刊登日期：2014/05/21 |
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| ‧ 專利名稱 |
於碳化矽基板上形成絕緣層之方法、碳化矽電晶體及其製造方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I335674
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2007/07/11)
美國 (2008/07/03)
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| ‧ 發明人/PI |
胡振國 ,莊凱傑 ,
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| ‧ 單位 |
電子工程學研究所
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
一種於碳化矽基板上形成絕緣層之方法，包括下列步驟：提供一碳化矽基板；以及於不高於200℃之一液態環境中氧化該碳化矽基板並於其上形成一二氧化矽層。本發明亦提供了一種碳化矽電晶體及其製造方法。
An exemplary method for forming an insulator layer over a silicon carbide substrate includes providing a silicon carbide substrate and anodizing the silicon carbide substrate in a liquid ambient at a temperature of not more than 200° C. to form a silicon dioxide layer thereon. Also provided are silicon carbide transistors and methods for fabricating the same.
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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