以阻抗轉換電路設計之毫米波被動場效電晶體切換器
  ‧ 專利名稱 以阻抗轉換電路設計之毫米波被動場效電晶體切換器
  ‧ 專利證書號 165166
6801108B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2001/11/01)
美國 (2001/12/14)
日本 (2001/12/25)
 
  ‧ 發明人/PI 王暉 ,王毓駒,林坤佑 ,
  ‧ 單位 電信工程學研究所
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明為一種新式的毫米波頻段被動場效電晶體信號切換器電路,能夠在不影響電路的效能下,大幅縮減高頻切換器的佈局尺寸。本電路透過傳輸線的阻抗轉換,使場效電晶體在高頻時的關態(Off-State)所呈現的等效電容經由阻抗轉換電路轉成低阻抗;而其開態(On-State)所呈現的低阻抗則經由阻抗轉換電路轉成高阻抗,於是形成具有良好效能的切換器。由於阻抗轉換電路的尺寸不大,所以不會增加其積體電路的製造成本,但卻能解決高頻切換器製作時因元件高頻特性不佳所造成的隔離度不佳的問題。
The present invention provides a millimeter-wave passive FET switch by using impedance transformation network to transfer the effective capacitance seen from the drain to source of an FET at off-state to low impedance, while transfer low impedance seen at on-state to high impedance. Since both on-state and off-state are transferred to high impedance, and low impedance respectively, a high-performance switch can be achieved. Since the size of the transformation network is small, the performance of the switch can be promoted with low cost.





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