資料儲存裝置及其儲存方法
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 資料儲存裝置及其儲存方法
  ‧ 專利證書號 I435322
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2008/05/14)
中國 (2008/06/16)
美國 (2008/08/26)
香港 (2010/06/22)
 
  ‧ 發明人/PI 孫安正,許仁華,張慶瑞,
  ‧ 單位 物理學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
本發明係提出一種資料儲存胞元,其包括一第一電極,一電壓施加於該第一電極以在其鄰近處形成一電場;及一結合物,其排列於該第一電極上,該結合物包括一液晶分子及一具有極性的磁性物質,藉此在該結合物的鄰近處形成一磁場,其中該結合物的排列對應於該電場的變動,藉此該磁場對應於該電場的變動。
A memory cell is provided in the present invention. The memory cell includes a first electrode receiving a first voltage to form an electric field therearound; and a combination arranged on the first electrode, comprising a liquid crystal molecule coupled with a magnetic substance for forming a magnetic field therearound, wherein the magnetic field changing with the first electric field.




專利簡述 / Intellectual Properties:




 

聯繫方式 / Contact:
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU
Email:ordiac@ntu.edu.tw 電話/Tel:02-3366-9945