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全波整流裝置

刊登日期：2014/05/21

‧ 專利名稱	全波整流裝置
‧ 專利證書號	I358190 US 8,159,844 B2
‧ 專利權人	國立臺灣大學
‧ 專利國家 (申請日)	中華民國 (2008/04/25) 美國 (2008/10/28)

‧ 發明人/PI	劉奇恩 ,江簡富 ,
‧ 單位	電信工程學研究所
‧ 簡歷/Experience

技術摘要 / Our Technology：

一種全波整流裝置，其包括第一整流模組與複數個第二整流模組，其中第一整流模組中包含一個或複數個第一整流單元，且第二整流模組中包含一個或複數個第二整流單元。本發明的全波整流裝置可利用各電晶體的源極連接其基極之連接方式，有效降低整流電路內的基體效應，再利用複數個電容整流出直流電壓訊號。此外，本發明亦揭露利用複數個第一整流單元與第二整流單元設計的多級整流電路架構，以降低習知整流器電晶體的基體效應，亦可大幅提升整流訊號的精確度與電壓輸出值，進而使該整流電路產生與理論值相符的直流電壓訊號。

A full-wave rectifying device includes a first rectification module and a second rectification module. The first rectification module includes one or a plurality of first rectification units. The second rectification module includes one or a plurality of second rectification units. In each of a plurality of transistors, the substrate is connected to the source so as to reduce the body effect of the rectifying circuit efficiently and enable generation of a dc voltage signal through rectification by a plurality of capacitors. A multistage rectifying circuit architecture including a plurality of first rectification units and second rectification units is provided, so as to reduce the body effect of transistors of a conventional rectifier and significantly stabilize the voltage output level, thereby allowing the rectifying circuit to generate a dc voltage level of designed value.

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