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 可電式讀取、可光式讀取的發光記憶體
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刊登日期：2016/06/01 |
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| ‧ 專利名稱 |
無機發光記憶體及其製造方法 |
| ‧ 專利證書號 |
I589041
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| ‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2014/11/27)
美國 (2015/04/06)
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| ‧ 發明人/PI |
陳永芳,賴盈至,劉怡柔,張哲瑋,
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| ‧ 單位 |
物理學系
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| ‧ 簡歷/Experience |
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| 技術摘要 / Our Technology： |
本發明提供一種整合電阻式記憶體及無機發光元件之無機發光記憶體，此無機發光記憶體元件具有簡單的結構，且可使用現有技術製造。此新穎的無機發光記憶體。此無機發光記憶體可擴展到許多其它材料系統的實際應用，鑑於其整合發光及記憶體的獨特功能，而可應用於集成光電裝置、光通信、數位記憶和記錄顯示面板等。
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| 專利簡述 / Intellectual Properties： |
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聯繫方式 / Contact： |
| 臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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| Email：ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel：02-3366-9945 |
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