Single-crystal ALD-Y2O3 on GaAs(001)-4x6
刊登日期:2017/11/30
  ‧ 專利名稱 Single-crystal ALD-Y2O3 on GaAs(001)-4x6
  ‧ 專利證書號 10,283,349 B2
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
美國 (2016/05/27)
 
  ‧ 發明人/PI 洪銘輝
  ‧ 單位 台積電-臺灣大學聯合研發中心
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:




專利簡述 / Intellectual Properties:




 
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