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從化學氣相沉積在堆疊基底上合成過度金屬硫化物薄膜的方法
 刊登日期：2021/08/11
  ‧ 專利名稱 生成過渡金屬硫化物的方法
  ‧ 專利證書號 I736389
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)		 中華民國 (2020/08/06)
 
  ‧ 發明人/PI 謝馬利歐,謝雅萍,邱聖貴,劉重佑,
  ‧ 單位 物理學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology：



專利簡述 / Intellectual Properties：



 

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