形成接合結構的方法
刊登日期:2014/05/21
  ‧ 專利名稱 形成接合結構的方法
  ‧ 專利證書號 I762342
  ‧ 專利權人 國立臺灣大學
  ‧ 專利國家
    (申請日)
中華民國 (2021/6/4)
美國 (2022/6/1)
 
  ‧ 發明人/PI 莊東漢,吳柏慶,李珮螢,賴鈺璋,蔡幸樺,周眾信,
  ‧ 單位 材料科學與工程學系
  ‧ 簡歷/Experience
技術摘要 / Our Technology:
提供一種形成接合結構的方法,包括:提供第一金屬,其中第一金屬具有一第一絕對熔點;在第一金屬上形成銀奈米孿晶層,且銀奈米孿晶層包括平行排列孿晶界,其中平行排列孿晶界具有90%以上的[111]結晶方位;以及將銀奈米孿晶層與第二金屬相對接合,其中第二金屬具有第二絕對熔點,並在300℃至第一絕對熔點的一半的溫度或在300℃至第二絕對熔點的一半的溫度執行銀奈米孿晶層與第二金屬的接合。



專利簡述 / Intellectual Properties:




 

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