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一維奈米結構二氧化鈦陣列薄膜製備方法
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刊登日期:2014/05/21 |
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‧ 專利名稱 |
一維奈米結構二氧化鈦陣列之製造方法 |
‧ 專利證書號 |
I458548
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‧ 專利權人 |
國立臺灣大學 |
‧ 專利國家
(申請日) |
中華民國 (2012/10/09)
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‧ 發明人/PI |
施養信,蘇昱帆,
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‧ 單位 |
農業化學系
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‧ 簡歷/Experience |
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技術摘要 / Our Technology: |
本發明係有關於一種一維奈米結構二氧化鈦陣列之製造方法,包括:(A)提供一基板;(B)提供一鈦前驅溶液,係包括一酸及一鈦前驅物;以及(C)將該基板設置於該前驅溶液中,於一大氣壓下進行反應,使該一維奈米結構二氧化鈦陣列形成於該基板之表面。
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專利簡述 / Intellectual Properties: |
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聯繫方式 / Contact: |
臺大產學合作總中心 / Center of Industry-Academia Collaboration, NTU |
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Email:ordiac@ntu.edu.tw |
電話/Tel:02-3366-9945 |
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